📑 목차
전자 신호로 쓰는 기억의 서가 - NAND 셀, 컨트롤러, 채널, 병렬 구조로 이루어진 초고속 전자식 저장 장치
핵심요약
SSD는 ‘움직이는 부품이 없는’ 저장장치로, 전자 신호만으로 데이터를 읽고 쓴다.
NAND 셀은 페이지, 블록 구조로 이루어져 있으며, 한 번 쓰면 바로 지울 수 없다(블록 단위 삭제).
컨트롤러는 SSD의 두뇌로, 웨어레벨링, GC, SLC 캐싱 등 성능과 수명을 결정한다.
SSD의 빠른 속도는 병렬 채널 구조 + DRAM 캐시 덕분이다.

1. SSD란 무엇인가?
핵심 문장: SSD는 NAND 플래시에 데이터를 저장하고, 컨트롤러가 이를 관리하는 “전자식 도서관”이다.
SSD(Solid State Drive)는 기계적 회전 없이 순수 전자 신호로만 동작하는 저장장치입니다. HDD가 “LP판과 바늘”이라면, SSD는 “전자책 파일을 메모리에 저장하는 시스템”에 더 가깝습니다.
SSD를 이루는 핵심 구성요소는 다음 네 가지입니다.
- NAND 플래시 메모리
- SSD 컨트롤러
- DRAM 캐시(고급형에 탑재)
- SLC 캐싱(모든 SSD의 기본 가속 구조)
SSD의 속도가 HDD보다 월등히 빠른 이유는 물리적인 움직임이 전혀 없기 때문이며, 또한 여러 개의 NAND 칩을 병렬로 묶는 구조(채널 아키텍처) 덕분이기도 합니다.
2. NAND 플래시의 내부 - “전자를 가두는 기억 칸”
2-1. 셀(Cell): 가장 작은 저장 단위
요약: 셀은 전자를 가둔 정도(전압 레벨)로 데이터를 표현한다.
NAND 셀은 Floating Gate(또는 Charge Trap)라는 구조에 전자를 가두거나 빼내어 전압 레벨을 만들고, 이것을 0과 1 등 여러 상태로 해석합니다.
셀 종류에 따라 저장 가능한 비트 수가 달라집니다.
- SLC (1비트): 가장 빠르고 가장 안정적
- MLC (2비트): 속도, 내구성 균형
- TLC (3비트): 오늘날 소비자 SSD의 표준
- QLC (4비트): 대용량, 저가 중심, 내구성 낮음
셀 당 비트 수가 늘수록 아래와 같이 트레이드오프가 발생합니다.
- 저장 용량 ↑
- 속도 ↓
- 수명 ↓
2-2. 페이지(Page), 블록(Block) 구조
핵심 문장: SSD는 페이지 단위로 쓰고, 블록 단위로만 지울 수 있다.
- 페이지(Page): 보통 4KB~16KB
- 블록(Block): 수십~수백 개의 페이지를 묶은 단위
SSD의 중요한 특징:
- “쓰기 → 수정”이 불가능
- 수정하려면 해당 블록 전체를 지워야만 함
- 삭제는 page가 아닌 block 단위
즉, SSD는 “수정”이 아니라 새로 쓰고, 나중에 묶어서 청소하는 방식입니다. 이 구조 때문에 GC(Garbage Collection)와 TRIM 같은 기술이 필요합니다.
3. SSD 컨트롤러 - 저장장치의 두뇌
컨트롤러가 SSD의 성능, 내구성, 안정성 대부분을 결정한다.
컨트롤러는 SSD 내부에서 다음을 담당합니다.
- 주소 변환(FTL, Flash Translation Layer)
- wear leveling(수명 균등화)
- garbage collection
- ECC(Error Correction Code)
- SLC 캐싱 관리
- 병렬 채널 할당
- DRAM 매핑 테이블 관리
결국 컨트롤러는 SSD의 운영체제라고 볼 수 있습니다.
3-1. FTL(Flash Translation Layer)
SSD는 HDD처럼 LBA(논리 블록 주소)를 직접 쓰지 않습니다. 컨트롤러가 이를 NAND 블록, 페이지로 매핑해야 합니다. 이 매핑 테이블은 DRAM에 저장되어, DRAM이 있는 SSD가 더 빠른 이유가 되기도 합니다.
4. SSD의 성능 핵심 - 병렬 구조
핵심 문장: SSD의 속도는 NAND 칩을 얼마나 병렬로 제어하느냐에 달려 있다.
HDD는 단일 헤드가 이동하며 데이터를 읽지만 SSD는 여러 NAND 칩을 동시에 읽고 쓸 수 있습니다. 이를 Channel Architecture라고 합니다.
- 컨트롤러 → 여러 채널 → 각 채널 아래 여러 NAND 패키지
- 채널이 많을수록 병렬 처리 성능 증가
- 고급 SSD는 8 채널 또는 16 채널 구성
다시 말해, SSD는 “여러 명이 동시에 책을 찾아주는 도서관”과 같습니다. HDD가 1명이 책을 찾아다닌다면 SSD는 8명, 16명이 동시에 움직이는 구조입니다.
5. SLC 캐싱 - SSD 속도의 비밀
SSD는 TLC/QLC처럼 느린 셀을 사용하더라도 일부 공간을 SLC 방식으로 동작시키는 임시 캐시를 둡니다.
이를 SLC 캐시라고 부르며,
- 짧은 burst 성능이 매우 빠름
- 일정 용량 이상 쓰기 시작하면 속도가 떨어짐 (TLC/QLC 본래 속도로)
이 현상이 흔히 말하는 “QD가 낮을 때 빠르고, 오래 쓰면 속도 하락”의 원인입니다.
6. Garbage Collection과 TRIM
6-1. GC(Garbage Collection)
SSD는 데이터를 바로 지울 수 없으므로, 불필요한 페이지를 모아 블록을 지우는 정리 작업이 필요합니다.
GC가 동작하면,
- SSD가 잠시 느려질 수 있음
- 백그라운드에서 블록을 통째로 비움
- 새로 쓸 공간 확보
6-2. TRIM
운영체제가 “이 파일은 삭제되었음”을 SSD에 알려주는 명령입니다. SSD는 이를 기반으로 GC 작업을 효율적으로 수행합니다. TRIM이 없다면 SSD는 “삭제되었는지 모르고” 불필요한 페이지까지 계속 유지하게 됩니다.
7. SSD 수명 - 왜 셀이 닳을까?
핵심 문장: NAND 셀의 삭제(Erase)는 전자를 터널링해 빼내는 과정이며, 이 과정이 반복되면 수명이 줄어든다.
NAND 셀은 쓰기(Program) 삭제(Erase) 작업이 반복될 때 내부 절연막이 조금씩 손상됩니다. 즉, SSD 수명은 P/E 사이클(Program/Erase cycle)로 측정합니다.
- SLC: 약 50,000회
- MLC: 약 3,000회
- TLC: 약 1,000회 내외
- QLC: 약 200~300회
그래서 SSD 컨트롤러는 Wear Leveling으로 전체 블록을 고르게 사용해 셀의 수명을 늘립니다.
8. 사람 비유 - “전자책 도서관”
SSD 구조는 도서관에 비유하면 명확합니다.
- 셀 = 메모지 칸
- 페이지 = 책의 페이지
- 블록 = 책 한 권
- SLC 캐시 = 사서 앞의 ‘즉시 처리용 바구니’
- 컨트롤러 = 사서 팀장
- 채널 = 사서 각각의 통로
- FTL = 도서관 주소체계
- GC = 오래된 메모지를 정리하는 청소 작업
- TRIM = “이 책은 폐기 예정” 사전 알림
SSD는 서가 이동(헤드 이동)이 없고, 대규모 병렬 접근이 가능해 현대 컴퓨터의 전체 성능을 폭발적으로 끌어올렸습니다.
9. 오늘날 SSD의 활용 - PC에서 AI 서버까지
SSD는 성능 향상의 중심에 있습니다.
- 노트북, PC 시스템 디스크
- 게이밍 로딩 시간 단축
- 서버 캐시 계층 (NVMe SSD)
- AI 학습 데이터셋 로딩
- DB의 로그/메타데이터 저장
- 클라우드 VM의 루트 볼륨
SSD는 저지연 + 고속 + 저전력의 특성을 바탕으로 HDD가 접근할 수 없는 영역을 책임지고 있습니다.
10. 요약
- SSD는 NAND 셀에 전자를 가두는 구조로 데이터를 저장한다.
- 페이지, 블록 구조로 인해 수정은 불가능, 재기록 필요 → GC, TRIM 필수
- 컨트롤러가 SSD의 두뇌이며 FTL, ECC, 웨어레벨링을 담당
- 병렬 채널 구조가 SSD 속도의 핵심
- SLC 캐싱은 burst 성능을 대폭 향상
- 셀의 수명(P/E 사이클)은 셀 종류에 따라 다름
11. 다음 편 예고
다음 글에서는 셀 구조를 전자적 관점에서 더 깊게 파고들며, SLC~QLC의 구조적 차이를 본격적으로 분석합니다.
다음 글 : [컴퓨터 과학] - [하드웨어 뜯어보기] 저장장치 #33 - NAND 플래시의 비밀
[하드웨어 뜯어보기] 저장장치 #33 - NAND 플래시의 비밀
전자의 집합으로 기억을 저장하다셀, 페이지, 블록, 수명(P/E) 구조를 전자 공학 관점에서 파헤치는 플래시 메모리의 본질핵심요약NAND 플래시는 “전자를 가둔 양”으로 데이터를 표현하는 저장
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